IDT 推出业内首个适用于高密度固态硬盘的 1:4 闪存扩展卡
2017-05-31 15:51 中国新闻资讯 点击次数 :次
该器件可以轻松扩展
数据中心、企业和消费类应用的闪存。
加利福尼亚州圣何塞,Marketwired, 2017 年 5 月 30 日 – Integrated Device Technology, Inc. (IDT) (NASDAQ:IDTI) 今天推出一款全新的闪存扩展卡,可以帮助客户轻松地增加固态硬盘 (SSD) 内存,并且成本相当低。IDT MX0141V是业内第一个专门为此应用设计的 1:4 双向多路复用器,它可以在不增加控制器的情况下扩展 SSD 内存。MX0141V 适用于数据中心、企业和消费类内存子系统。
系统设计人员使用该 1:4 扩展卡可以增加内存密度,而且无需使用大的 SSD 控制器或降低总线速度。IDT MX0141V 可使闪存控制器的内存通道容量提高三倍,并且在增加闪存组时可使引脚数量减少高达 75%。该设计降低了内存控制器的总负载,并使一个内存通道支持的闪存条数量提高三倍,可以实现超高密度 SSD 设计,并且运行速度非常快。
“随着 SSD 等新存储层在数据中心、企业和客户端领域占据主导地位,对于给定外形下增加密度且不影响速度的需求日益明显,”IDT 计算与通信集团的高级副总裁兼总经理 Sean Fan 表示。“该最新闪存扩展卡是 IDT 丰富内存接口解决方案的最新体现,可以帮助工程师们满足当今内存密集型应用的需求。”
该器件提供双向高速数据/时钟传输路径和低速控制逻辑路径,满足最新的 ONFI 闪存和 TOGGLE 闪存标准,在实现内存扩展的同时,不会影响闪存访问时间。
“我们一直在寻找能够提高 SSD 硬盘闪存容量的创新技术,”SK Hynix 内存系统分部的工程高级总监表示。“通过采用多个 IDT MX0141V 扩展卡,可以极大地降低负载影响,帮助我们提高 NAND 通道数据传输速率,同时有助于我们控制 SSD 控制器的复杂程序和引脚数量。”
该新器件的 12 位高速端口大小经过优化,非常适合闪存器件与 SSD 控制器的连接。该器件采用低功耗、紧凑型 4 mm x 7.5 mm 98-FCCSP 封装,焊球间距为 0.5 mm。
IDT MX0141V 的其他特性包括:
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->对于取消选择的端口提供可选择三态或内部上拉电阻
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->多路复用器导通电阻的阻抗低
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->引脚间输出时滞低
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->超低电流
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->信号搭配非常便捷,只需将两个 MX0141V 器件的 PCB 按一上一下蚌壳式配置即可
关于 IDT
Integrated Device Technology, Inc. 开发用于优化客户应用的系统级解决方案。IDT 在射频、高性能定时、存储器接口、实时互连、光学互连、无线电能和智能传感器方面的市场导向型产品,是该公司为通信、计算、消费、汽车和工业领域开发的一系列广泛而全面的混合信号解决方案的一部分。IDT 总部位于加利福尼亚州圣何塞,并在全世界拥有设计、生产、销售设施和经销合作伙伴。IDT 股票在 NASDAQ Global Select Stock Market®(纳斯达克全球精选市场)上市交易,其股票代码为“IDTI”。如需了解更多关于 IDT 的信息,请访问 www.IDT.com。请在脸书、领英、推特、YouTube 和 Google+ 上关注 IDT。
© 2017.Integrated Device Technology、IDT 和 IDT 徽标是 Integrated Device Technology, Inc. 的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志是或可能是用于识别其各自所有者的产品或服务的商标或注册商标。
数据中心、企业和消费类应用的闪存。
加利福尼亚州圣何塞,Marketwired, 2017 年 5 月 30 日 – Integrated Device Technology, Inc. (IDT) (NASDAQ:IDTI) 今天推出一款全新的闪存扩展卡,可以帮助客户轻松地增加固态硬盘 (SSD) 内存,并且成本相当低。IDT MX0141V是业内第一个专门为此应用设计的 1:4 双向多路复用器,它可以在不增加控制器的情况下扩展 SSD 内存。MX0141V 适用于数据中心、企业和消费类内存子系统。
系统设计人员使用该 1:4 扩展卡可以增加内存密度,而且无需使用大的 SSD 控制器或降低总线速度。IDT MX0141V 可使闪存控制器的内存通道容量提高三倍,并且在增加闪存组时可使引脚数量减少高达 75%。该设计降低了内存控制器的总负载,并使一个内存通道支持的闪存条数量提高三倍,可以实现超高密度 SSD 设计,并且运行速度非常快。
“随着 SSD 等新存储层在数据中心、企业和客户端领域占据主导地位,对于给定外形下增加密度且不影响速度的需求日益明显,”IDT 计算与通信集团的高级副总裁兼总经理 Sean Fan 表示。“该最新闪存扩展卡是 IDT 丰富内存接口解决方案的最新体现,可以帮助工程师们满足当今内存密集型应用的需求。”
该器件提供双向高速数据/时钟传输路径和低速控制逻辑路径,满足最新的 ONFI 闪存和 TOGGLE 闪存标准,在实现内存扩展的同时,不会影响闪存访问时间。
“我们一直在寻找能够提高 SSD 硬盘闪存容量的创新技术,”SK Hynix 内存系统分部的工程高级总监表示。“通过采用多个 IDT MX0141V 扩展卡,可以极大地降低负载影响,帮助我们提高 NAND 通道数据传输速率,同时有助于我们控制 SSD 控制器的复杂程序和引脚数量。”
该新器件的 12 位高速端口大小经过优化,非常适合闪存器件与 SSD 控制器的连接。该器件采用低功耗、紧凑型 4 mm x 7.5 mm 98-FCCSP 封装,焊球间距为 0.5 mm。
IDT MX0141V 的其他特性包括:
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->对于取消选择的端口提供可选择三态或内部上拉电阻
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->多路复用器导通电阻的阻抗低
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->引脚间输出时滞低
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->超低电流
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->信号搭配非常便捷,只需将两个 MX0141V 器件的 PCB 按一上一下蚌壳式配置即可
关于 IDT
Integrated Device Technology, Inc. 开发用于优化客户应用的系统级解决方案。IDT 在射频、高性能定时、存储器接口、实时互连、光学互连、无线电能和智能传感器方面的市场导向型产品,是该公司为通信、计算、消费、汽车和工业领域开发的一系列广泛而全面的混合信号解决方案的一部分。IDT 总部位于加利福尼亚州圣何塞,并在全世界拥有设计、生产、销售设施和经销合作伙伴。IDT 股票在 NASDAQ Global Select Stock Market®(纳斯达克全球精选市场)上市交易,其股票代码为“IDTI”。如需了解更多关于 IDT 的信息,请访问 www.IDT.com。请在脸书、领英、推特、YouTube 和 Google+ 上关注 IDT。
© 2017.Integrated Device Technology、IDT 和 IDT 徽标是 Integrated Device Technology, Inc. 的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志是或可能是用于识别其各自所有者的产品或服务的商标或注册商标。
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